国家存储器基地

方案简介：

国家存储器基地位于武汉光谷。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。

2017年1月1日，总投资240亿美元的“国家存储器基地”项目在武汉东湖高新区正式开工。总占地面积1968亩，其中主厂区总用地面积1717亩，建成后月产能将达30万片。配套倒班宿舍用地251亩，将要建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，总建筑面积达246万m²。

国家存储器基地项目现有高层视频会议室、视频会议室、会议室、培训室共102间会议室。以及空中参观走廊、VIP接待展厅。

会议室主要用于远程视频会议、远程语音会议和本地会议。

空中参观走廊、VIP接待展厅主要用于企业、技术展示，领导接待参观。

建设内容：

会议互动平板、显示系统、远程视音频会议系统、无线投屏系统、扩声系统、会议发言系统、高清混插矩阵系统等。

业务场景：